Моя заявка (0)
STP13NM60N TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075231242
Артикул
STP13NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Width
4.6mm
Series
MDmesh
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 260 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 6,93А, 90Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width4.6mm
SeriesMDmesh
Pin Count3
Вес, г1
СерияSTP13NM60N
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада10 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation90 W
Typical Gate Charge @ Vgs30 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора27 nC
Maximum Drain Source Resistance360 mΩ
Время нарастания8 ns
Maximum Continuous Drain Current11 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности90 W
Id - непрерывный ток утечки11 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток360 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V

Техническая документация