Моя заявка (0)

STP130N6F7, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Through Hole

STP130N6F7, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001692722
Артикул
STP130N6F7
Бренд
STMicroelectronics
Width
4.6mm
Series
STripFET F7
Pin Count
3
Вес, г
0.33
Цена по запросу
(от 445 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.

Технические параметры

Width4.6mm
SeriesSTripFET F7
Pin Count3
Вес, г0.33
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation160Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Квалификация-
Maximum Power Dissipation160 W
Typical Gate Charge @ Vgs13.6 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Drain Source Resistance5 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0042Ом
Maximum Continuous Drain Current80 A
Линейка ПродукцииSTripFET F7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока80А
Рассеиваемая Мощность160Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0042Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0042 Ом

Техническая документация