STP12NM50,Power MOSFET, N Channel, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8576872068
- Артикул
- STP12NM50
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 746 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh |
| Series: | STP12NM50 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.814 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 7.5A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 160W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.35Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 500V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 550 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.35 Ом |