STP12N60M2, Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031162638
- Артикул
- STP12N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STP12N60M2
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 271,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STP12N60M2 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9.2 ns |
| Technology | MDmesh™ M2 |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 16nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 5.7A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 85W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.45Ω |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 36A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 395 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13Ω@10V, 22A |