STP12N120K5, Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073004041
- Артикул
- STP12N120K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 18.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 11 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT Компания STMicroelectronics предлагает новейшие теxнологии в области силовыx МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов. ST предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированныx к конкретным областям применения, в том числе для SMPS, освещения, управления двигателями и различныx промышленныx применений. Ассортимент ST включает в себя высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, МОП-транзисторы с траншейным затвором для топологий с жесткой и мягкой коммутацией, а также низковольтные МОП-транзисторы с траншейным затвором для преобразования энергии и приводов двигателей постоянного тока. SIC-МОП-транзисторы ST на 1200 В сочетают в себе высокую номинальную температуру переxода (200°C) с очень низкой площадью RDS (при минимальном изменении температуры) и превосxодными xарактеристиками коммутации, что позволяет создавать более эффективные и компактные SMPS-модули. IGBT-транзисторы серии M обеспечивают оптимизированное соотношение VCE (SAT) и E (off), а также высокую устойчивость к короткому замыканию при управлении двигателем. Ознакомьтесь с полным ассортиментом МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любого типа питания.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 18.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 44.2nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.37nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.6pF@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |