STP11NM80, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 11А, 150Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062505125
- Артикул
- STP11NM80
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Подробности
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 683,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 11А, 150Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh |
| Вид | MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Series: | STP11NM80 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 17 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.98 |
| Серия | STP11NM80 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(max)-150 Вт |
| Описание | N-Channel 800 V 11A(Tc)150W(Tc)Through Hole TO-220 |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 1630 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15 ns |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Время нарастания | 17 ns |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 43.6 |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | +/-30 V |
| Категория продукта | Power MOSFET Transistors |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 11 |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/300 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 400 |