STP11NM65N, Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001270103
- Артикул
- STP11NM65N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Military
- No
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Минимальный заказ: 72 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.6(Max) |
| Package Height | 9.15(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Process Technology | MDmesh |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 45 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 45@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 380@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |