STP11NK40ZFP, Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001006052
- Артикул
- STP11NK40ZFP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- HTSUS
- 8541.29.0095
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STP11NK40ZFP от известного производителя STMicroelectronics представляет собой надежный компонент для использования в различных электронных устройствах. Оснащенный монтажом THT, этот N-MOSFET транзистор обладает током стока 9 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 400 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. С мощностью 30 Вт и упакованный в удобный для монтажа корпус TO220FP, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Ваш выбор модели STP11NK40ZFP гарантирует стабильные характеристики и долговечность компонента в вашей электронной аппаратуре. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 9 Напряжение сток-исток, В 400 Мощность, Вт 30 Корпус TO220FP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 4.6mm |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STP11NK40ZFP |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 9.3 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | SuperMESH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | STP11 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4.5A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Особенности | высоковольтный |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 32 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 32 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Время нарастания | 20 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 25V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 930 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 550 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A (Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.8 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |