STP11NK40Z, Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001012222
- Артикул
- STP11NK40Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Вид
- N-MOSFET
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 3.5 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | to220fp |
| Монтаж | THT |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Process Technology | SuperMESH |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Standard Package Name | TO |
| Ток стока, А | 9 |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Мощность, Вт | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 32 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 32@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 930@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550@10V |
| Напряжение сток-исток, В | 400 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |