STP11N65M2, Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049988451
- Артикул
- STP11N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2
- Серия
- STP11N65M2
- Продукт
- Power MOSFETs
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 264 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | STP11N65M2 |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12.5 nC |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh II Plus |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 670 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |