Моя заявка (0)

STP110N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 150Вт 0,007Ом TO220

STP110N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 150Вт 0,007Ом TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048738084
Артикул
STP110N10F7
Бренд
STMicroelectronics
Width
4.6mm
Brand:
STMicroelectronics
Series
STripFET H7
Series:
STP110N10F7
Цена по запросу
(от 230,75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 150Вт 0,007Ом TO220

Технические параметры

Width4.6mm
Brand:STMicroelectronics
SeriesSTripFET H7
Series:STP110N10F7
Product:Power MOSFETs
Pin Count3
Packaging:Tube
Tradename:STripFET
Вес, г2.3
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:60 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:150 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation150 W
Typical Gate Charge @ Vgs72 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:110 A
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance7 mΩ
Maximum Continuous Drain Current110 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация