STP10NK80ZFP TO220F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075232176
- Артикул
- STP10NK80ZFP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh, SuperMESH
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STP10NK80ZFP от STMicroelectronics - надежный компонент для проектов, требующих высокого напряжения и тока. Модель STP10NK80ZFP, выполненная в корпусе TO220FP, предназначена для монтажа THT. Этот полевой N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 9 А и работать при напряжении сток-исток до 800 В. Эффективность его работы подтверждается мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,9 Ом. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других устройствах, где требуется высокая напряженность и надежность. Компонент STP10NK80ZFP гарантирует высокое качество и производительность, характерные для продукции STMicroelectronics. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 9 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 40 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.9 Корпус TO220FP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Мощность | рассеиваемая(max)-40 Вт |
| Описание | N-Channel 800 V 9A(Tc)40W(Tc)Through Hole TO-220FP |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Process Technology | SuperMESH |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 2180 |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 17 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 72 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 72@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 30 |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 65 |
| Заряд затвора, нКл | 72 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2180@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 900@10V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 9 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 800 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 900 |