STP10NK70ZFP, Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001011494
- Артикул
- STP10NK70ZFP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Series:
- STP10NK70ZFP
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STP10NK70ZFP |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.6 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.7 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.75 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |