Моя заявка (0)

STP10N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 7,5A 85Вт 0,6Ом TO220

STP10N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 7,5A 85Вт 0,6Ом TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049988440
Артикул
STP10N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
2
Серия
STP10N60M2
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 252,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

Технические параметры

Вес, г2
СерияSTP10N60M2
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation85Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13.2 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора13.5 nC
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance0.55Ом
Линейка ПродукцииMDmesh M2
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока7.5А
Рассеиваемая Мощность85Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности85 W
Id - непрерывный ток утечки7.5 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток560 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения32.5 ns
Типичное время задержки при включении8.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.55Ом

Техническая документация