STP10N105K5, TO-220-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942197
- Артикул
- STP10N105K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STP10N105K5
- Fall Time:
- 21.5 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 466,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STP10N105K5 |
| Fall Time: | 21.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2.96 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 130W |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 545pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.05 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |