Моя заявка (0)

STP10LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP10LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830056
Артикул
STP10LN80K5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
2.24
Серия
STP10LN80K5
Корпус
TO-220
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 1 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a TO-220 package

Технические параметры

Вес, г2.24
СерияSTP10LN80K5
КорпусTO-220
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора15 nC
Время нарастания10 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности110 W
Id - непрерывный ток утечки8 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток630 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения28 ns
Типичное время задержки при включении11.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.55 Ом

Техническая документация