Моя заявка (0)
STP100NF04, Транзистор полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010492626
Артикул
STP100NF04
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 760 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 40В, 120А, 300Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г3.5
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
RoHS CompliantYes
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologySTripFET II
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)50
Typical Rise Time (ns)220
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)110
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)110@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)35
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)80
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)120
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)5100@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)4.6@10V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация