Моя заявка (0)

STP100N6F7, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 75А, 125Вт, TO220-3

STP100N6F7, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 75А, 125Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887745
Артикул
STP100N6F7
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
4.6mm
Series
STripFET F7
Цена по запросу
(от 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Низковольтные МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ серии F7 имеют более низкое сопротивление во включенном состоянии, а также уменьшенную внутреннюю емкость и заряд затвора для более быстрого и эффективного переключения.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width4.6mm
SeriesSTripFET F7
Fall Time15 ns
PackagingTube
Pin Count3
Rise Time55.5 ns
TechnologySi
Вес, г1.96
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeTO-220
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge30 nC
Number of Channels1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity1000
Forward Diode Voltage1.2V
Pd - Power Dissipation125 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation125 W
Typical Gate Charge @ Vgs12.6 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time21.6 ns
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time28.6 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current100 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Drain Source Resistance5.6 mΩ
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance5.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2 V

Техническая документация