Моя заявка (0)

STO65N60DM6, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-LL, Surface Mount

STO65N60DM6, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-LL, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012528204
Артикул
STO65N60DM6
Бренд
STMicroelectronics
Pin Count
8
Вес, г
0.697
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 2 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics относится к серии диодов быстрого восстановления MDmesh DM6.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.697
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-LL Type A2
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.75V
Maximum Drain Source Resistance0.076 Ω
Maximum Continuous Drain Current46 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А46
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт320
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.067 Ом