STN851,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8836686759
- Артикул
- STN851
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 199 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand: | STMicroelectronics |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | STN851 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.225 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 150@10mA@1V|150@2A@1V|90@5A@1V|30@10A@1V |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 350 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 130 MHz |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 130 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 150 V |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 150 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 150 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 130(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 320 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.15@200mA@4A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |