STN83003, Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001332657
- Артикул
- STN83003
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 3.5 mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 40,70 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 3.5 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 1.8 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | 500V Transistors |
| Series: | STN83003 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.003951 oz |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.6W |
| Minimum DC Current Gain | 16 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 1.5 A |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 12 V |
| Continuous Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 400V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.6 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 16 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 700 |