STN6N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830035
- Артикул
- STN6N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- STN6N60M2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.11
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Series | STN6N60M2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.11 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.25 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом |