Моя заявка (0)

STN4NF20L, Транзистор N-МОП, полевой, 1 А 200 В 3.3 Вт, SOT-223-3

STN4NF20L, Транзистор N-МОП, полевой, 1 А 200 В 3.3 Вт, SOT-223-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015661759
Артикул
STN4NF20L
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
STN
Series:
STN4NF20L
Pin Count
4
Цена по запросу
(от 86,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 1 А 200 В 3.3 Вт, SOT-223-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
SeriesSTN
Series:STN4NF20L
Pin Count4
Fall Time:10.4 ns
Rise Time:2 ns
Tradename:STripFET
Вес, г0.16
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Transistor Type:1 N-Channel Power MOSFET
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:900 pC
СтруктураN-МОП
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage200 V
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current1 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация