Моя заявка (0)

STN4NF06L, null 4A 3.3W 100mOhm@1.5A,10V null TO-261-4 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025032303
Артикул
STN4NF06L
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
3.5 mm
Height
1.8 mm
Цена по запросу
(от 140,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-CH, 60 В, 4 А, SOT-223; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:4 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,07 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2,8 В; Мощность

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width3.5 mm
Height1.8 mm
Length6.5 mm
SeriesN-channel STripFET
Fall Time10 ns
PackagingReel
Rise Time25 ns
TechnologySi
Вес, г0.2
Channel ModeEnhancement
ManufacturerSTMicroelectronics
ConfigurationSingle Dual Drain
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-223-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity4000
Pd - Power Dissipation3.3 W
Power Dissipation (Pd)3.3W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage16 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)7nC@48V
Typical Turn-On Delay Time9 ns
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)340pF
Continuous Drain Current (Id)4A
Id - Continuous Drain Current4 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)30pF
Пороговое напряжение на затворе2.8V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.12Ω@5V, 1.5A

Техническая документация