STN4NF03L, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 4,5А, 3,3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887169
- Артикул
- STN4NF03L
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 3.5mm
- Series
- STripFET
Цена по запросу
(от 64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30 Volt 6.5 Amp
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 3.5mm |
| Series | STripFET |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.17 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | STN4NF03L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Высота | 1.8 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Process Technology | STripFET II |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 100 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 3.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.5@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Время нарастания | 100 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 330@25V |
| Средства разработки | STEVAL-ISA147V3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |