STN3NF06L,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046507116
- Артикул
- STN3NF06L
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type:
- MOSFET
- Width
- 3.5mm
Цена по запросу
(от 183 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type: | MOSFET |
| Width | 3.5mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | STN3NF06L |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 10 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 25 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.203 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Process Technology | STripFET II |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7@5V |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 100@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом |