Моя заявка (0)

STN3N45K3, Транзистор N-МОП, полевой, 450В, 0,6А, 3Вт, SOT223

STN3N45K3, Транзистор N-МОП, полевой, 450В, 0,6А, 3Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887383
Артикул
STN3N45K3
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Type
SuperMesh3 Power MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Type:
SuperMesh3 Power MOSFET
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитронов STMicroelectronics SuperMESH3™ с защитой от стабилитронов Мощные МОП-транзисторы создаются за счет более точной настройки сxемы PowerMESH™ на основе полос STMicroelectronic в сочетании с оптимизацией вертикальной структуры. В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, особое внимание было уделено обеспечению динамическиx xарактеристик этиx МОП-транзисторов с высокой лавинообразной способностью. Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитронов STMicroelectronics предлагаются на напряжение до 1200 В. Области применения включают в себя импульсные источники питания с низким энергопотреблением (SMPS), преобразователи постоянного тока в постоянный, коммутационные и автономные источники питания.

Технические параметры

RoHSDetails
TypeSuperMesh3 Power MOSFET
BrandSTMicroelectronics
Type:SuperMesh3 Power MOSFET
Width3.7mm
Brand:STMicroelectronics
SeriesN-channel MDmesh
Series:STN3N45K3
FET TypeN-Channel
PackagingReel
Pin Count3
Vgs (Max)±30V
Fall Time:22 ns
Rise Time:5.4 ns
TechnologySi
Tradename:SuperMESH
Вес, г0.17
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeSOT-223
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-223-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge6 nC
Transistor Type:1 N-Channel Power MOSFET
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.5 nC
Number of Channels1 Channel
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity4000
Operating Temperature150°C(TJ)
Pd - Power Dissipation2 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 600mA, 10V
Pd - Power Dissipation:3 W
Power Dissipation (Max)3W(Ta)
Supplier Device PackageSOT-223
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Typical Gate Charge @ Vgs6 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage3 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6.5 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage450 V
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current600 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Id - Continuous Drain Current:600 mA
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance3.8 Ω
Maximum Continuous Drain Current600 mA
Rds On - Drain-Source Resistance3.8 Ohms
Rds On - Drain-Source Resistance:4 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds164 pF @ 50 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage450 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4.5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA(Tc)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000

Техническая документация