STN3N40K3, Транзистор N-МОП, полевой, 400В, 1А, 3,3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887744
- Артикул
- STN3N40K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- SOT223
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 3400@10V mOhm
- Series
- SuperMESH3
Цена по запросу
(от 53,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 3400@10V mOhm |
| Series | SuperMESH3 |
| Series: | STN3N40K3 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | SuperMesh™ |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 0.15 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 1A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 3.3W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Typical Fall Time | 14 ns |
| Typical Rise Time | 8 ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-МОП |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Max Processing Temp | 260 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 3.4Ω |
| Drain-source voltage | 400V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Power Dissipation (Pd) | 3.3W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 165pF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Крутизна характеристики, S | 3.9 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@50uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.4Ω@10V, 600mA |