Моя заявка (0)

STN2NF10, Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

STN2NF10, Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001119794
Артикул
STN2NF10
Бренд
STMicroelectronics
Width
3.5mm
RDS-on
260@10V mOhm
Series
STripFET
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 100В, 2,4А, 3,3Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width3.5mm
RDS-on260@10V mOhm
SeriesSTripFET
MountingSurface Mount
Pin Count3
Вес, г1
Lead FinishMatte Tin
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Typical Fall Time3 ns
Typical Rise Time10 ns
СтруктураN-Channel
Max Processing Temp260
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-55 to 150 °C
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation3.3 W
Typical Gate Charge @ Vgs10 nC @ 10 V
Typical Turn-On Delay Time6 ns
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance260 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.4 A
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация