STN2580, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8839724967
- Артикул
- STN2580
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand: | STMicroelectronics |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | STN2580 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.196 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 60@250mA@5V |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@0.2A@1A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.2A@1A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |