STN1HNK60, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,4А, 3,3Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887264
- Артикул
- STN1HNK60
- Бренд
- STMicroelectronics
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
Цена по запросу
(от 28,27 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 3.5mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Series: | STN1HNK60 |
| FET Type | N-Channel |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 25 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 0.13 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Package Height | 1.8(Max) |
| Package Length | 6.5 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Описание | 600V, 0.4A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |
| Power Dissipation | 3.3Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Process Technology | SuperMESH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250ВµA |
| Base Product Number | STN1HNK60 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 156 |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.5 |
| Тип проводимости | N |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Drain Source On State Resistance | 8Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 400 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 25V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 156@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8500@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.25 V |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 400mA (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 3.3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 0.4 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*37/4000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 8Ом |