Моя заявка (0)

STLD128DNT4, 400V 8@2A,5V 20W 4A NPN DPAK Bipolar (BJT) ROHS

STLD128DNT4, 400V 8@2A,5V 20W 4A NPN DPAK Bipolar (BJT) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048228982
Артикул
STLD128DNT4
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
6.6 mm
Height
2.4 mm
Цена по запросу
(от 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN power transistor

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width6.6 mm
Height2.4 mm
Length6.2 mm
SeriesSTLD128DN
PackagingReel
Вес, г0.56
Длина6.2 mm
СерияSTL128DN
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота2.4 mm
КорпусTO-252/DPAK
Ширина6.6 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseDPAK-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation20 W
DC Current Gain hFE Max10
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Emitter- Base Voltage VEBO18 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокDPAK-3
Continuous Collector Current3 A
Maximum DC Collector Current6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min8
Collector- Emitter Voltage VCEO Max400 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности20 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)18 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.10
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8

Техническая документация