STLD128DNT4, Bipolar Transistors - BJT NPN power transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004583861
- Артикул
- STLD128DNT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 6.6 mm
- Height
- 2.4 mm
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN power transistor
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 6.6 mm |
| Height | 2.4 mm |
| Length | 6.2 mm |
| Series | STLD128DN |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.26 |
| Длина | 6.2 mm |
| Серия | STL128DN |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Высота | 2.4 mm |
| Ширина | 6.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DPAK-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| DC Current Gain hFE Max | 10 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 18 V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| Maximum DC Collector Current | 6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 8 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 18 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 10 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |