Моя заявка (0)

STLD128DNT4, Trans GP BJT NPN 400V 3A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

STLD128DNT4, Trans GP BJT NPN 400V 3A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001012918
Артикул
STLD128DNT4
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
6.6 mm
Height
2.4 mm
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN power transistor

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width6.6 mm
Height2.4 mm
Length6.2 mm
SeriesSTLD128DN
PackagingReel
Вес, г0.05
Длина6.2 mm
СерияSTL128DN
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота2.4 mm
КорпусTO-252/DPAK
Ширина6.6 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseDPAK-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation20 W
DC Current Gain hFE Max10
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Emitter- Base Voltage VEBO18 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокDPAK-3
Continuous Collector Current3 A
Maximum DC Collector Current6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min8
Collector- Emitter Voltage VCEO Max400 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности20 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)18 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.400 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.10
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)8

Техническая документация