Моя заявка (0)

STL9P3LLH6, 30V 9A 3W 15mOhm@4.5A,10V P Channel PowerFLAT(3.3x3.3) MOSFETs

STL9P3LLH6, 30V 9A 3W 15mOhm@4.5A,10V P Channel PowerFLAT(3.3x3.3) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025033043
Артикул
STL9P3LLH6
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Fall Time
18 ns
Packaging
Reel
Цена по запросу
(от 188,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P-CH, -30 В, -9 А, 150°C, 3 Вт; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -9 А; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Сопротивление Rds(включено): 0,012 Ом; Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Fall Time18 ns
PackagingReel
Rise Time93 ns
TechnologySi
Вес, г0.55
Channel ModeEnhancement
ManufacturerSTMicroelectronics
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge24 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation3 W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage+/-20 V
Typical Turn-On Delay Time13.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time50 ns
Id - Continuous Drain Current-9 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance12 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage-1 V
Пороговое напряжение на затворе1.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15мОм

Техническая документация