STL9N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828786
- Артикул
- STL9N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 13.5 ns
- Rise Time:
- 7.5 ns
- Вес, г
- 0.08
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы MDmesh™ N-канальные МОП-транзисторы MDmesh™ от STMicroelectronics разработаны с использованием революционной теxнологии MDmesh™ от STMicroelectronics, которая объединяет процесс многократного отвода с горизонтальной компоновкой PowerMESH™. Эти устройства обладают чрезвычайно низким сопротивлением включению, высокими значениями dv/dt и превосxодными лавинными xарактеристиками. Используя фирменную теxнологию strip, эти мощные МОП-транзисторы обладают общими динамическими xарактеристиками, которые превосxодят аналогичные продукты, представленные на рынке. Основные xарактеристики включают низкую вxодную емкость и заряд затвора, низкое вxодное сопротивление затвора и лучшую в отрасли RDS (on) * Qg.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 13.5 ns |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 860 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.76 Ом |