STL92N10F7AG,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 70 A, 0.008 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003749355
- Артикул
- STL92N10F7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
- Brand:
- STMicroelectronics
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET STMicroelectronics STripFET™ Power MOSFET - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx используется новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой МОП-транзистор STripFET обладает высоким током и низким RDS (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 13 ns |
| Lead Shape | No Lead |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 0.35 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Power Flat EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 32 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 45 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 45@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 36 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 16 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3100@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 9.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5 mOhms |