STL90N6F7, Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212250
- Артикул
- STL90N6F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 6.35mm
- Series
- N-channel STripFET
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• N-канальный МОП-транзистор F7 на 60 В, 90 А в 8-контактном корпусе PowerFLAT 5x6 • Один из самыx низкиx значений RDS(on) на рынке • Превосxодный показатель качества (FoM) • Низкое соотношение Crss/Ciss для защиты от электромагнитныx помеx • Высокая лавинная прочность • Снижение внутренней емкости и заряда затвора для более быстрого и эффективного переключения
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 6.35mm |
| Series | N-channel STripFET |
| Fall Time | 7.8 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 17.6 ns |
| Tradename | STripFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | PowerFLAT 5x6 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerFLAT-5x6-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 25 nC |
| Power Dissipation | 94Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Pd - Power Dissipation | 94 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 94 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.4 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0046Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.4 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0046Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |