STL8P4LLF6, Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002201805
- Артикул
- STL8P4LLF6
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- STripFET F6
- Brand
- STMicroelectronics
- Type:
- STripFET F6
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 240 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | STripFET F6 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Type: | STripFET F6 |
| Width | 3.5 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 0.9 mm |
| Length | 3.5 mm |
| Series | P-channel STripFET |
| Product | Power MOSFET |
| Series: | STL8P4LLF6 |
| Product: | Power MOSFETs |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 47 ns |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 47 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 22 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.9 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.9 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 43 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 148 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 148 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20.5 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V to 2.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |