STL8DN6LF3, MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005537486
- Артикул
- STL8DN6LF3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Grade
- Automotive
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- FET Feature
- Logic Level Gate
Цена по запросу
(от 183,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Mosfet 60 В 20 А 65 Вт для поверxностного монтажа PowerFlat™ (5x6)
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 65W |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | PowerFlat™(5x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 668pF @ 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22.5мОм |