Моя заявка (0)

STL7N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 42Вт

STL7N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 42Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062882102
Артикул
STL7N80K5
Бренд
STMicroelectronics
HTS
COMPONENTS
PPAP
No
SVHC
Yes
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 42Вт

Технические параметры

HTSCOMPONENTS
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.4
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Height0.95(Max)
EDA / CAD ModelsSTL7N80K5 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePower Flat EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySuperMESH
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)20.2
Typical Rise Time (ns)8.3
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)42000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)13.4
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)13.4@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)11.3
Maximum Drain Source Voltage (V)800
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23.7
Maximum Gate Threshold Voltage (V)5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)3.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)360@100V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1200@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)10000

Техническая документация