STL7N6LF3, MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673249
- Артикул
- STL7N6LF3
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- N-channel STripFET
Цена по запросу
(от 129,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | N-channel STripFET |
| Series: | STL7N6LF3 |
| Fall Time | 5.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10.4 ns |
| Fall Time: | 5.4 ns |
| Rise Time: | 10.4 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerFLAT-5x6-8 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 8.7 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 52 W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.7 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 мОм |