STL7N6F7, MOSFETs N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 pa
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828778
- Артикул
- STL7N6F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STL7N6F7
- Tradename:
- STripFET
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STL7N6F7 |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerFLAT-2x2-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 2.4Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.4Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21 мОм |