Моя заявка (0)

STL7N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV

STL7N60M2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828777
Артикул
STL7N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
15.9 ns
Rise Time:
7.2 ns
Вес, г
0.07
Цена по запросу
(от 172 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:15.9 ns
Rise Time:7.2 ns
Вес, г0.07
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5x5-12
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:67 W
Typical Turn-On Delay Time:7.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19.3 ns
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.05 Ohms

Техническая документация