Моя заявка (0)

STL7LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

STL7LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828776
Артикул
STL7LN80K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
17.4 ns
Rise Time:
6.7 ns
Вес, г
0.08
Цена по запросу
(от 231,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 серии STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RDS (on) и отличными показателями повышенной плотности мощности и эффективности. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:17.4 ns
Rise Time:6.7 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:PowerFLAT-5x6-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:12 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:42 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:9.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23.6 ns
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.15 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация