STL7LN65K5AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828775
- Артикул
- STL7LN65K5AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Grade
- Automotive
- Brand:
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
Цена по запросу
(от 305,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | STMicroelectronics |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Fall Time: | 16.4 ns |
| Rise Time: | 9.2 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerFLAT-5x6-VHV-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.7 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 79 W |
| Power Dissipation (Max) | 79W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlat™(5x6)VHV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.4 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.8 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.95 Ом |