Моя заявка (0)

STL6N3LLH6, Транзистор полевой N-канальный 30В

STL6N3LLH6, Транзистор полевой N-канальный 30В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060244395
Артикул
STL6N3LLH6
Бренд
STMicroelectronics
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
6
Цена по запросу
(от 78,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.02
СерияSTL6N3LLH6
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width2
Package Length2
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePower Flat
Maximum IDSS (uA)1
Power Dissipation7.8Вт
Process TechnologySTripFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.4 ns
Typical Fall Time (ns)5.4
Typical Rise Time (ns)11.2
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокPowerFLAT-2x2-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Power Dissipation (mW)2400
Qg - заряд затвора3.6 nC
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)3.6@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)4.8
Время нарастания11.2 ns
Drain Source On State Resistance0.021Ом
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)9.4
Линейка ПродукцииSTripFET H6
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Continuous Drain Current (A)13
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)283@24V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)25@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность7.8Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1В
Pd - рассеивание мощности2.4 W
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеSTripFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerFLAT
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения9.4 ns
Типичное время задержки при включении4.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.021Ом

Техническая документация