STL6N3LLH6, MOSFETs N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828771
- Артикул
- STL6N3LLH6
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 69,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | STL6N3LLH6 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Package Width | 2 |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Power Flat |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 7.8Вт |
| Process Technology | STripFET |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.4 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 5.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 11.2 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | PowerFLAT-2x2-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 |
| Qg - заряд затвора | 3.6 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.6@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.8 |
| Время нарастания | 11.2 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 9.4 |
| Линейка Продукции | STripFET H6 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 283@24V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 25@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 7.8Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Pd - рассеивание мощности | 2.4 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом |