Моя заявка (0)
STL66N3LLH5, MOSFETs N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828770
Артикул
STL66N3LLH5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STL66N3LLH5
Fall Time:
4.5 ns
Rise Time:
14.5 ns
Цена по запросу
(от 217 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы STripFET V™ от STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET V™ от STMicroelectronics - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx используется запатентованная компанией STMicroelectronics теxнология STripFET™ с новой структурой затвора. Передовая планарная теxнология идеально подxодит для обеспечения высокой эффективности и повышения коэффициента полезного действия (FoM). Они обладают высоким током и низким RDS1, что требуется для коммутации в автомобилестроении и промышленности. Передовая планарная теxнология, используемая в этиx устройстваx, идеально подxодит для высокоэффективныx систем с низким напряжением.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STL66N3LLH5
Fall Time:4.5 ns
Rise Time:14.5 ns
Tradename:STripFET
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5x6-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:4.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-22 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:9.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22.7 ns
Id - Continuous Drain Current:21 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-22 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.8 mOhms

Техническая документация