STL60N10F7, MOSFETs N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828768
- Артикул
- STL60N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- N-channel STripFET
- Fall Time
- 8 ns
Цена по запросу
(от 147,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | N-channel STripFET |
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 16.8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STL60N10F7 |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerFLAT-5x6-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 25 nC |
| Power Dissipation | 72Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Pd - Power Dissipation | 5 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | PowerFLAT-5x6-8 |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Время нарастания | 16.8 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0145Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 16.5 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET DeepGATE |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 46А |
| Рассеиваемая Мощность | 72Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0145Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.013Ом |